IRFB33N15DPBF中文资料
IRFB33N15DPBF图片
- 大小：144.9KB
- 厂家：International Rectifier
- 描述： N CH MOSFET, 150V, 33A, TO-220AB; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):56mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:33A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:56ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:170W; Pulse Current Idm:130A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:5.5V; Voltage Vgs Rds on Me...
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：150V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：33A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：56 毫欧 @ 20A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2020pF @ 25V
- 功率 - 最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：*IRFB33N15DPBF
IRFB33N15DPBF供应商
更新时间:2023-01-30 08:50:27- 供应商
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